池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX5N-1k射频电流 反应离子刻蚀设备

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX2N-1k 用于射频溅射、等离子体CVD

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX2N-3k用于射频溅射、等离子体CVD

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX3N-1k用于射频溅射、等离子体CVD

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX3N-3k 半导体设备射频电源

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX4N-1k 半导体设备射频电源

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX4N-3k半导体设备射频电源

池田屋ULVAC爱发科 RF電源MEX5N-1k射频电流 反应离子刻蚀设备

这是用于射频溅射、等离子体CVD、蚀刻等等离子体发生的电源匹配盒的开关机。

特征

可以在多个匹配框之间切换。

可以在没有同时放电的情况下使用，并通过减少设备中安装的电源数量来降低设备成本。

由于一个阴极采用一个匹配盒，因此可以选择多种不同阻抗的阴极。

A2K系列是一种异常放电防止装置，通过在反应溅射过程中向直流电源施加正电压脉冲来中和靶材上的电荷。

它可以轻松安装到现有设备中，以低成本提高产量和吞吐量。

特征

高吞吐量

通过减少异常放电可以实现高功率输入

减少电路板损坏

可减少电弧引起的电路板损坏

抑制基板温度

与RF溅射相比，可以抑制基板温度

轻松连接

可连接至现有设备 *1

反向脉冲频率可

在A2KH-25：1kHz至20kHz、A2K-20K/40K：1kHz至50kHz范围内更改

脉冲同步系统

可以实现多个A2K的输出脉冲同步*2 *3

可通过主从连接增加容量，

最多可并行运行 6 台 A2K-20K 和 40K。

应用：脉冲同步系统