池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺
池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺CRTM-R1是基于ULVAC多年积累的技术开发的晶体薄膜沉积控制器。通过采用新的测量方法，我们实现了速率稳定性和比以前的型号更高的分辨率。它可用于多种气相沉积工艺，从金属薄膜到光学薄膜。特征采用新的测量方法，速率稳定性显着提高。能力（CI值）测量提高了晶体板的异常检测能力。出色的薄膜厚度和速率分辨率（0.0018Å @5MH
池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺
CRTM-R1是基于ULVAC多年积累的技术开发的晶体薄膜沉积控制器。通过采用新的测量方法，
我们实现了速率稳定性和比以前的型号更高的分辨率。它可用于多种气相沉积工艺，从金属薄膜到光学薄膜。
特征
采用新的测量方法，速率稳定性显着提高。
能力（CI值）测量提高了晶体板的异常检测能力。
出色的薄膜厚度和速率分辨率（0.0018Å @5MHz）使其成为低速率沉积控制的理想选择。
最多可同时控制 8 个元件。 （添加选项时）
通讯方式兼容以太网和RS-232C。
主机上保存的各种日志数据可以以 CSV 格式传输到 USB。
目的
金属薄膜和光学薄膜气相沉积过程中的膜厚和速率控制
规格
| 频率 | 测量范围 | 4.00~3.00MHz@4MHz 5.00~3.50MHz@5MHz 6.00~4.50MHz@6MHz |
| 测量分辨率 | 1毫赫兹 | |
| 显示分辨率 | 1毫赫兹 | |
| 沉积率 | 测量范围*1 | 0.000~999.9Å/s (0~99.99nm/s) |
| 测量分辨率*2 | 0.0028Å/s @4MHz 0.0018Å/s @5MHz 0.0012Å/s @6MHz | |
| 显示分辨率*1 | 0.001埃/秒 | |
| 膜厚 | 测量范围*1 | 0.000~9999kÅ (0~999.9μm) |
| 测量分辨率*2 | 0.0028Å @4MHz 0.0018Å @5MHz 0.0012Å @6MHz | |
| 显示分辨率*1 | 0.001kÅ |