ULVAC爱发科

池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺

池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺CRTM-R1是基于ULVAC多年积累的技术开发的晶体薄膜沉积控制器。通过采用新的测量方法,我们实现了速率稳定性和比以前的型号更高的分辨率。它可用于多种气相沉积工艺,从金属薄膜到光学薄膜。特征采用新的测量方法,速率稳定性显着提高。能力(CI值)测量提高了晶体板的异常检测能力。出色的薄膜厚度和速率分辨率(0.0018Å @5MH

池田ULVAC爱发科 晶体沉积控制器CRTM-R1 用于多种气相沉积工艺


CRTM-R1是基于ULVAC多年积累的技术开发的晶体薄膜沉积控制器。通过采用新的测量方法,

我们实现了速率稳定性和比以前的型号更高的分辨率。它可用于多种气相沉积工艺,从金属薄膜到光学薄膜。


特征

采用新的测量方法,速率稳定性显着提高。

能力(CI值)测量提高了晶体板的异常检测能力。

出色的薄膜厚度和速率分辨率(0.0018Å @5MHz)使其成为低速率沉积控制的理想选择。

最多可同时控制 8 个元件。 (添加选项时)

通讯方式兼容以太网和RS-232C。

主机上保存的各种日志数据可以以 CSV 格式传输到 USB。


目的

金属薄膜和光学薄膜气相沉积过程中的膜厚和速率控制


规格

频率测量范围4.00~3.00MHz@4MHz
5.00~3.50MHz@5MHz
6.00~4.50MHz@6MHz
测量分辨率1毫赫兹
显示分辨率1毫赫兹
沉积率测量范围*10.000~999.9Å/s (0~99.99nm/s)
测量分辨率*20.0028Å/s @4MHz
0.0018Å/s @5MHz
0.0012Å/s @6MHz
显示分辨率*10.001埃/秒
膜厚测量范围*10.000~9999kÅ (0~999.9μm)
测量分辨率*20.0028Å @4MHz
0.0018Å @5MHz
0.0012Å @6MHz
显示分辨率*10.001kÅ


首页
产品
新闻
联系