日本ORC欧阿希半导体光刻机设备PPS-8200
模型PPS-8200/8300晶圆尺寸6/8/12 英文尺寸解决2.0 µmL/S（感光材料厚度2.0 µm）NA（开口数）0.16, 0.1 变量小比率1:1现场规模52 毫米 x 33 毫米光波长ghi 线 gh 线 i 线字段大小6寸多重对准精度≤0.5 µm (|Ave|+3σ)设备尺寸/重量(W) 2,260 x (D) 3,460 x (H) 2,500 毫米 / 5,500 公斤主要
| 模型 | PPS-8200/8300 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 6/8/12 英文尺寸 |
| 解决 | 2.0 µmL/S（感光材料厚度2.0 µm） |
| NA（开口数） | 0.16, 0.1 变量 |
| 小比率 | 1:1 |
| 现场规模 | 52 毫米 x 33 毫米 |
| 光波长 | ghi 线 gh 线 i 线 |
| 字段大小 | 6寸 |
| 多重对准精度 | ≤0.5 µm (|Ave|+3σ) |
| 设备尺寸/重量 | (W) 2,260 x (D) 3,460 x (H) 2,500 毫米 / 5,500 公斤 |
| 主要定制选择标准 | 另一方面，接触函数 系统晶场是曝光的，晶 场是非曝光的， 薄晶场传输系统兼容 GEM通信。 |